半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-083325
公開番号（公開出願番号）：特開2006-209963
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】本発明は、メモリセルアレイから読み出された1ページ分の読み出しデータの一部のデータの書き換えを行なって、異なるページに書き込むことを特徴とする。【解決手段】メモリセルアレイの1ブロックBL内の1ページ分のメモリセルMCから読み出されたデータがデータ保持回路12で保持される。このデータ保持回路12は複数のラッチ回路24を有し、これら複数のラッチ回路24はカラムアドレスによってアドレス指定がなされる。そしてカラムアドレスによってアドレス指定がなされたラッチ回路24に対して書き換え用のデータが供給され、このデータがラッチ回路24で保持されることでデータの書き換えが行なわれる。データの書き換え後の1ページ分のデータは、コピー先のページアドレス(ロウアドレス)に対応したメモリセルアレイ内のページに書き込まれる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイと、データ保持回路を具備し、前記メモリセルアレイに対して、ページ単位でのデータの書き込み及び読み出しを行うとともに、第1の入力アドレスに対応する第1のページ中のメモリセルに記憶されたデータを前記データ保持回路に読み出して保持する第1の動作と、前記データ保持回路に保持されたデータの中で第2の入力アドレスに対応するカラムアドレスのデータを書き換える第2の動作と、前記データ保持回路に保持されたデータを第3の入力アドレスに対応する第2のページに書き込む第3の動作と、を行い、前記第1のページと前記第2のページが異なることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/02 , G06F 12/02 , G06F 12/00 , G11C 16/04

FI (6件)：

G11C17/00 611G , G06F12/02 580B , G06F12/00 597U , G11C17/00 601T , G11C17/00 613 , G11C17/00 622E

Fターム (17件)：

5B060AA10 , 5B060AB13 , 5B060CA18 , 5B060CB04 , 5B125BA02 , 5B125CA08 , 5B125DA03 , 5B125DB02 , 5B125DC03 , 5B125DE09 , 5B125DE11 , 5B125DE20 , 5B125EA05 , 5B125EA10 , 5B125EE19 , 5B125EF02 , 5B125FA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

不揮発性メモリシステムおよび不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-126793 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
不揮発性半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-077948 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

半導体ファイル記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-171835 出願人：株式会社日立製作所
一括消去型不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-341931 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
不揮発性半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-077948 出願人：株式会社東芝

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