特許
J-GLOBAL ID：200903043038830020

窒化物半導体基板の製造方法

発明者：
土井 成博

土井 成博 について

, 
清見 和正

清見 和正 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (3件)： 大野 聖二 ,  森田 耕司 ,  片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-195672
公開番号（公開出願番号）：特開2009-029662
出願日： 2007年07月27日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】湾曲した窒化物半導体結晶から、面内および基板間で格子面方向のばらつきが少ない窒化物半導体基板を得る方法を提供する。【解決手段】異種基板上にエピタキシャル成長させて得られた湾曲した窒化物半導体結晶12の凹状の面にダイアモンド砥粒などにより研削を行って加工変質層13を導入する。加工変質層13の導入によって窒化物半導体結晶12の曲率半径は大きくなり、面内各点での格子面方向[hkil]若しくは[hkl]が平行化される。この状態の窒化物半導体結晶12から、表面12aから裏面12bに向かってスライスして複数の基板14を切り出す。このようにして得られた基板14は、基板表面と特定の結晶格子面とが成す角度が基板の面内で略同じとなるため、湾曲した窒化物半導体結晶12から、結晶格子面が揃った複数の基板14を切り出すことが可能となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
異種基板上にエピタキシャル成長させて得られた窒化物半導体結晶の面内各点での格子面方向[hkil]若しくは[hkl]が互いに平行となるように前記窒化物半導体結晶の少なくとも一方主面に加工変質層を形成し、その後前記窒化物半導体結晶を切断することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 33/00 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B33/00 ,  H01L33/00 C
Fターム (18件)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FG11 ,  4G077FG13 ,  4G077FG16 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  5F041AA31 ,  5F041CA64
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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