特許
J-GLOBAL ID：200903093281748754

窒化物半導体基板の製造方法と窒化物半導体基板

発明者：
松本 直樹

松本 直樹 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370430
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136167
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】 異種下地基板の上に気相成長法によってGaN膜を生成し下地基板を除去して作ったGaN単独膜は、熱伝導率や格子定数の違いのために反りが大きくて±40μm〜±100μmにもなる。それではフォトリソグラフィでデバイスを製造するのが難しいので反りを+30μm〜-20μmに減少させるのが目的である。【解決手段】 凹型に反った方の面を研削して加工変質層を与える。加工変質層はその面を広げる作用を持ち、その面が凸型になる。凸型になった面の加工変質層をエッチングで除去して反りを減らす。あるいは凸型になった面とは反対側の凹面を研削して加工変質層を発生させる。加工変質層によって凹面が凸面になればエッチングによって加工変質層を適当に除去して反りを減らす。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
反りのある窒化物半導体基板の凹の面を機械研削し加工変質層を導入することによって凹の面を延ばし平坦に近づけ反りを低減することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/304 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065
FI (6件)：
H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622W ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 105B ,  H01L21/306 B
Fターム (21件)：
5F004AA11 ,  5F004DA04 ,  5F004DB00 ,  5F004FA06 ,  5F043AA05 ,  5F043BB10 ,  5F043DD30 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045BB01 ,  5F045GH09 ,  5F045HA11 ,  5F045HA12 ,  5F052CA01 ,  5F052DB01 ,  5F052DB06 ,  5F052KA01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)

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