特許
J-GLOBAL ID：200903032720942938

窒化物半導体結晶基板の製造方法

発明者：
上松 康二

上松 康二 について

, 
中畑 成二

中畑 成二 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-360391
公開番号（公開出願番号）：特開2007-161534
出願日： 2005年12月14日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる窒化物半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる窒化物半導体結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程と、窒化物半導体結晶を異種基板から切り離す工程と、互いに向かい合う凹状の曲面を有する雌型と凸状の曲面を有する雄型との間に異種基板から切り離された窒化物半導体結晶を窒化物半導体結晶の切り離された側の表面が雄型側を向くように設置する工程と、雌型と雄型とによって窒化物半導体結晶の結晶軸の湾曲が低減するように窒化物半導体結晶をプレスする工程と、プレス後の窒化物半導体結晶をスライスする工程と、を含む、窒化物半導体結晶基板の製造方法である。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程と、 前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から切り離す工程と、 互いに向かい合う凹状の曲面を有する雌型と凸状の曲面を有する雄型との間に前記異種基板から切り離された前記窒化物半導体結晶を前記窒化物半導体結晶の切り離された側の表面が前記雄型側を向くように設置する工程と、 前記雌型と前記雄型とによって前記窒化物半導体結晶の結晶軸の湾曲が低減するように前記窒化物半導体結晶をプレスする工程と、 前記プレス後の前記窒化物半導体結晶をスライスする工程と、 を含む、窒化物半導体結晶基板の製造方法。
IPC (6件)：
C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  C30B 33/00 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/34 ,  H01L 27/12
FI (7件)：
C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  C30B33/00 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  H01L27/12 S ,  H01L27/12 G
Fターム (20件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077FE10 ,  4G077FJ02 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA00 ,  4K030CA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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