特許

J-GLOBAL ID：200903043064824399

レジストパターン形成方法

発明者： 渡辺 寛 ,  井上 正己 ,  炭谷 博昭 ,  糸賀 賢二 ,  浅野 和夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-029308
公開番号（公開出願番号）：特開平8-220767
出願日： 1995年02月17日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 本発明は高精度なレジストパターンや微細なレジストパターン形成において、光化学反応に対して触媒作用を有する基板材料の上にレジストパターンを形成する際に、光化学反応に対して触媒作用をもつ下地膜によるレジストの反応をより確実に抑制し高精度のパターンを形成する方法を提供することを目的としている。【構成】 光化学反応に対して触媒作用を有する下地膜4の上に触媒作用防止層8を形成し、その上にレジスト3を塗布する。次いで、光透過膜1と光吸収膜2を通過した光7によってレジスト3が露光され、加熱処理された後、現像処理をおこなう。下地膜4の触媒作用によるレジストへの反応を触媒作用防止層8によって抑制する。

請求項（抜粋）：

レジストパターンの形成方法において、光化学反応に対して触媒作用を有する下地基板材料の上にレジストパターンを形成する際に、光化学反応に対して触媒作用をもつ下地膜によるレジストの反応を抑制するために、上記下地基板と上記レジスト間に触媒作用防止層を形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/09 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/09 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 563

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-245858   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭51-114073
  
• 白金のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-255649   出願人：沖電気工業株式会社, 本田技研工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-233640   出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝