特許
J-GLOBAL ID：200903043101035154
電界放射型電子源の製造方法、電界放射型電子源
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-181565
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373575
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】絶縁耐圧の向上、長寿命化、大面積化が容易な電界放射型電子源の製造方法を提供する。【解決手段】陽極酸化処理工程では、電解液Bの入った処理槽41を利用する。処理槽41中の電解液Bの温度および濃度は電解液管理装置46により管理される。電解液管理装置46は、処理槽41の電解液Bが電解液排出管44を通して導入され電解液Bの温度および濃度がそれぞれの設定値に保たれるように調節され電解液送出管45を通して処理槽41へ送出する管理槽を備える。処理槽41内には駆動装置43により駆動される回転翼42が設けられ、電解液Bが攪拌される。回転翼42と駆動装置43とで構成される攪拌装置および電解液管理装置46が、半導体層たる多結晶シリコン層の面内で多孔質化が同じ速度で進行するように処理槽41内の電解液Bの濃度を管理する管理手段を構成している。
請求項（抜粋）：
下部電極と、下部電極に対向する表面電極と、下部電極と表面電極との間に介在する酸化若しくは窒化若しくは酸窒化した多孔質半導体層よりなる強電界ドリフト層とを備え、強電界ドリフト層がナノメータオーダの半導体微結晶と半導体微結晶の表面に形成され当該半導体微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜とを有し、下部電極と表面電極との間に表面電極を高電位側として電圧を印加することにより下部電極から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源の製造方法であって、強電界ドリフト層の形成にあたっては、電解液を利用した陽極酸化により半導体層を多孔質化して半導体微結晶を含む多孔質半導体層を形成する陽極酸化処理工程を有し、陽極酸化処理工程では、前記半導体層の面内で多孔質化が同じ速度で進行するように処理槽内の電解液の濃度を管理する管理手段を利用することを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 M
, H01J 1/30 M
