特許
J-GLOBAL ID:200903080806162867

電界放出型冷陰極及び平面ディスプレイの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲垣 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-101344
公開番号(公開出願番号):特開2000-294122
出願日: 1999年04月08日
公開日(公表日): 2000年10月20日
要約:
【要約】【課題】 エミッタ形成の制御性を向上させるとともに、均一な電子放出を実現する電界放出型冷陰極及び平面ディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に絶縁層2を形成する工程と、絶縁層2上にゲート電極3を形成する工程と、絶縁層2とゲート電極3をエッチングし、ゲート開口部を形成する工程と、ゲート開口部内のシリコン表面を電解液6中でゲート電極3に対してシリコン基板1に正の電位を印加して多孔質化する工程とを実施する。
請求項(抜粋):
シリコン基板上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、前記絶縁層とゲート電極をエッチングし、ゲート開口部を形成する工程と、前記ゲート開口部内のシリコン表面を電解液中で前記ゲート電極に対してシリコン基板に正の電位を印加して多孔質化する工程とを含むことを特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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