集積回路キャパシタの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-228310
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077331
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】キャパシタの信頼性を低減することなくその容量を増加させるキャパシタの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の方法は、(A)基板に近接して相互接続ラインを形成するステップと、(B)前記相互接続ライン上に第1誘電体層を形成するステップと、(C)前記第1誘電体層内に第1開口を形成するステップと、(D)相互接続ライン内に前記第1開口と整合して第2開口を形成するステップとを有する。

請求項（抜粋）：

(A)基板(24)に近接して、第1誘電体層(26)を形成するステップと、(B)前記第1誘電体層(26)内に、第1開口を形成するステップと、(C)前記第1金属製プラグ(30)を形成するために、前記第1開口を充填するステップと、(D)前記第1金属製プラグ(30)に近接して、第1誘電体層内(26)に、第1トレンチ(28)を形成するステップと、(E)前記第1金属製プラグ(30)の対向側上に、錨状凹部(34)を形成するために、前記第1トレンチをなぞって、前記第1金属製プラグに接触する相互接続ライン(32)を形成するステップと、(F)前記相互接続ライン(32)上に、第2誘電体層(36)を形成するステップと、(G)前記第1開口と整合して、前記第2誘電体層(36)内に、第2開口(70)を形成するステップと、(H)第2金属製プラグ(22)を形成するために、前記第2開口(70)を充填するステップと、前記第2金属製プラグ(22)は、本体部分(40)と、この本体部分から下側にのび、る前記錨状凹部(34)に係合する錨状部分(34)を有し、(I)前記第2金属製プラグ(22)に近接して、第2誘電体層内(36)に第2トレンチ(38)を形成するステップと、(J)前記第2金属製プラグ(22)の上部に近接して、第3誘電体層(48)を形成するステップと、(K)前記第3誘電体層上に、電極(46)を形成するステップと、を有することを特徴とする集積回路キャパシタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体集積回路装置及び当該装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-086409 出願人：株式会社日立製作所
タングステンコンタクトコア・スタックキャパシタおよびその成形方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-314390 出願人：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-284952 出願人：日本電気株式会社

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