処理装置及び処理システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-284094
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093787
出願日： 2000年09月19日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】処理容器内の被処理体上に均一なNF3ガス分布を実現できる処理装置及び処理システムを提供することである。【解決手段】この処理装置51は、ウエハWが内部に配置される処理容器53と、この処理容器53内に活性化されたN2、H2ガスを供給する活性ガス種供給口79と、この活性化されたN2、H2ガスによって活性化されるNF3ガスを供給するノズル孔105とを備え、前記N2、H2ガスによって前記NF3ガスを活性化させ、活性化されたNF3ガスを用いてウエハWを処理する処理装置51において、活性化ガス種供給口79と、ノズル孔105とを、処理容器53の天板71に設けている。

請求項（抜粋）：

被処理体が内部に配置される処理容器と、この処理容器内に活性化された第1のガスを供給する第1ガス供給口と、この第1のガスによって活性化される第2のガスを供給する第2ガス供給口とを備え、前記第1のガスによって前記第2のガスを活性化させ、活性化された前記第2のガスを用いて前記被処理体を処理する処理装置において、前記第1ガス供給口と、前記第2ガス供給口とを、前記処理容器の壁部のうち、前記被処理体に対向する対向壁に設けたことを特徴とする処理装置。

FI (2件)：

H01L 21/302 A , H01L 21/302 F

Fターム (12件)：

5F004AA01 , 5F004BA03 , 5F004BA20 , 5F004BB14 , 5F004BB18 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004CA04 , 5F004DA17 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB03

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭63-053927
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-019976 出願人：富士通株式会社
表面処理方法と装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-169091 出願人：ジェームス・ダブリュー・ミッツェル

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