特許
J-GLOBAL ID：200903072388602372

n型窒化物半導体積層体およびそれを用いる半導体素子

発明者：
谷沢 公二

谷沢 公二 について

, 
細川 泰伸

細川 泰伸 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-155577
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305323
出願日： 2001年05月24日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】 窒化物半導体層を結晶性良く成長させることのできるn型窒化物半導体積層体およびこれを用いる半導体素子を提供する。【解決手段】 本発明のn型窒化物半導体積層体は、基板と、前記基板の表面に形成された、AlaGa1-aN(0.05≦a≦0.8)からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されたn側窒化物半導体層とを有する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の表面に形成された、AlaGa1-aN(0.05≦a≦0.8)からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されたn側窒化物半導体層とを有するn型窒化物半導体積層体。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610
FI (4件)：
H01L 33/00 C ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610
Fターム (46件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CB13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073DA31 ,  5F073EA05 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (7件)
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