窒化物半導体素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：豊栖康弘 , 石井久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-032950
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260215
出願日： 2005年02月09日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】従来の発光素子では、ウエハ内の順方向電圧(Vf)が不均一であったり、駆動時間経過にともないVfが変動する等、素子特性が十分とは言えない場合があった。【解決手段】本発明は、n電極を有するn側コンタクト層とp電極を有するp側コンタクト層との間に、活性層を有する窒化物半導体素子に関する。特に、n側コンタクト層と活性層の間に、n側コンタクト層側から順に、第1のn側層、第2のn側層、第3のn側層および第4のn側層を少なくとも有し、少なくとも第2のn側層および第4のn側層はそれぞれn型不純物を含み、第2のn側層および第4のn側層のn型不純物濃度はそれぞれ、第1のn側層および第3のn側層のn型不純物濃度よりも高いことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n電極を有するn側コンタクト層とp電極を有するp側コンタクト層との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、前記窒化物半導体素子は、前記n側コンタクト層と前記活性層の間に、前記n側コンタクト層側から順に、第1のn側層、第2のn側層、第3のn側層および第4のn側層を少なくとも有し、少なくとも前記第2のn側層および前記第4のn側層はそれぞれn型不純物を含み、前記第2のn側層および前記第4のn側層のn型不純物濃度はそれぞれ、前記第1のn側層および第3のn側層のn型不純物濃度よりも高いことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (8件)：

5F041AA21 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA85 , 5F041CA88

引用特許：

出願人引用 (1件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-348665 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (5件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-015971 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-060463 出願人：日亜化学工業株式会社
レンズユニット
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-043136 出願人：コニカ株式会社

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