特許
J-GLOBAL ID：200903014621921726

窒化物半導体素子

発明者：
谷沢 公二

谷沢 公二 について

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福田 芳克

福田 芳克 について

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池上 武志

池上 武志 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060463
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286451
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力がより向上し、静電耐圧が良好な窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板上に、バッファ層を介して形成されたn側窒化物半導層、活性層及びp側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、n側窒化物半導体層は、膜厚100〜10000Åのアンドープの窒化物半導体からなる下層、n型不純物がドープされた窒化物半導体からなる中間層、アンドープの窒化物半導体からなる上層の少なくとも3層が順に積層されてなるn側第1多層膜層を含みかつ、活性層がIn<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0≦a<1)層とGaN層とを含んでなる多重量子井戸構造である。
請求項（抜粋）：
基板上に、バッファ層を介して形成されたn側窒化物半導体層、活性層及びp側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記n側窒化物半導体層は、膜厚100〜10000Åのアンドープの窒化物半導体からなる下層、n型不純物がドープされた窒化物半導体からなる中間層、アンドープの窒化物半導体からなる上層の少なくとも3層が順に積層されてなるn側第1多層膜層を含みかつ、前記活性層が、In<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)層とGaN層とを含んでなる多重量子井戸構造であることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 29/205 ,  H01S 5/343
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 29/205 ,  H01S 5/343
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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