特許
J-GLOBAL ID：200903043236275112

レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法

発明者：
野崎 耕司

野崎 耕司 について

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並木 崇久

並木 崇久 について

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小澤 美和

小澤 美和 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-295175
公開番号（公開出願番号）：特開2006-030940
出願日： 2004年10月07日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 ArFレーザー光を利用でき、ArFレジスト等のライン系等のレジストパターン上に塗布等するだけで、そのサイズ依存性なく厚肉化可能で、露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターン等を低コストで簡便に効率良く形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。【解決手段】 樹脂と、水酸基を少なくとも2つ有する多価アルコールとを含むレジストパターン厚肉化材料。レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布するレジストパターンの製造方法。被加工面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
樹脂と、水酸基を少なくとも2つ有する多価アルコールとを含むことを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。
IPC (2件)：
G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570
Fターム (5件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA05 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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