特許
J-GLOBAL ID：200903043325528032

窒素を含むIII-V族半導体を用いた半導体レーザ

発明者：
水谷 夏彦

水谷 夏彦 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218240
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044572
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】III-VN化合物半導体材料を用いて、GaAs上に結晶成長が比較的容易で、しきい値の温度特性に優れ、かつ温度変動に対して発振波長の変化しにくい半導体レーザである。【解決手段】GaAs基板101上に少なくとも活性層103と光を閉じ込めるクラッド層102、104とを有する半導体レーザである。活性層103の少なくとも一部は窒素を含む混晶半導体GaxIn1-xNyAs1-yから成り、クラッド層102、104も窒素を含むIII-V族半導体から成る。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に少なくとも活性層と光を閉じ込めるクラッド層とを有する半導体レーザにおいて、活性層の少なくとも一部は窒素を含む混晶半導体GaxIn1-xNyAs1-yから成り、クラッド層も窒素を含むIII-V族半導体から成ることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/12
FI (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/12
Fターム (5件)：
5F073AA45 ,  5F073AA64 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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