特許
J-GLOBAL ID：200903039397540781

半導体レーザ素子

発明者：
森岡 達也

森岡 達也 について

, 
大林 健

大林 健 について

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高橋 幸司

高橋 幸司 について

, 
池田 裕章

池田 裕章 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169882
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017284
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 GaAs基板上に形成された活性層に少なくともInGaAsN層を含んでいる半導体レーザ素子において、従来のAlGaAs系,InGaAsP系で素子を形成した場合、素子設計におけるバンド構造の自由度が小さく特性の良好なものが得られない、さらにこれらの各層で最適結晶成長温度が異なることから界面で待ち時間を設ける必要があり、これに起因して信頼性の良好なものを得ることができていなかった。【解決手段】 従来用いられていたAlGaAs層或いはInGaAsP層の代わりにInGaAlAsN層或いはInGaAsPN層を使用することにより、InGaAsN層とAlGaAs層或いはInGaAsP層の中間のバンド構造を有するものが得られ設計の自由度が向上する。さらに各層で結晶成長温度を一定に保つことができ信頼性の向上が図れる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に少なくとも第1の導電型のクラッド層と、活性領域と、第2の導電型のクラッド層を有し、前記活性領域の少なくとも1部が窒素を含むIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As<SB>α</SB>N<SB>1-α</SB>層(0<x,α<1)から構成されている半導体レーザ素子において、In<SB>x</SB>'Ga<SB>1-x</SB>'<SB>-y</SB>'Al<SB>y</SB>’As<SB>α</SB>'N<SB>1-α</SB>'層(0<x',y',α'<1)かIn<SB>x</SB>''Ga<SB>1-x</SB>''As<SB>α</SB>''P<SB>β</SB>''N<SB>1-α</SB>''<SB>-β</SB>''層(0<x'',α'',β''<1)の少なくともどちらかからなる層を含むことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141750   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-092044   出願人：富士通株式会社
  • 発光ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-025587   出願人：昭和電工株式会社
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審査官引用 (6件)
  • 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-283422   出願人：株式会社リコー
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141750   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-092044   出願人：富士通株式会社
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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