超低k(ULK)SiCOH膜および方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史 , 太佐種一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-507287
公開番号（公開出願番号）：特表2006-521019
出願日： 2004年03月17日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】誘電率が2.7以下であり、弾性計数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低誘電率(k)膜、および、かかる膜の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、弾性係数および硬度が改善した多相超低k膜、ならびにこれを形成するための様々な方法を提供する。多相超低k誘電膜は、Si、C、O、およびHの原子を含み、誘電率が約2.4以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約5以上であり、硬度が約0.7以上である。好適な多相超低k誘電膜は、Si、C、O、およびHの原子を含み、誘電率が約2.2以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約3以上であり、硬度が約0.3以上である。

請求項（抜粋）：

多相超低誘電率膜を形成する方法であって、プラズマ・エンハンス化学気相付着(PECVD)リアクタにおいて基板を位置付けるステップと、 Si、C、O、およびHの原子を含む第1の前駆物質ガスを前記リアクタ内に流すステップと、主にCおよびHの原子を含む有機分子を含む第2の前駆物質ガスを前記リアクタ内に流すステップと、少なくとも3つのSi-O結合を含むシロキサン分子を含む第3の前駆物質ガスを前記リアクタ内に流すステップと、前記基板上に多相超低k膜を堆積するステップと、を含む、方法。

IPC (6件)：

H01L 21/312 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/316 , C23C 16/42 , C23C 16/509

FI (5件)：

H01L21/312 C , H01L21/90 J , H01L21/316 X , C23C16/42 , C23C16/509

Fターム (59件)：

4K030AA01 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030AA18 , 4K030BA35 , 4K030BA44 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030DA09 , 4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA16 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ28 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR08 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW03 , 5F033WW07 , 5F033WW09 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF02 , 5F058AG10 , 5F058AH02 , 5F058AH04 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BF06 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BH20 , 5F058BJ02 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体層間絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-359541 出願人：三星電子株式会社
シリカ前駆体/有機ポリマー組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-295435 出願人：旭化成株式会社
絶縁薄膜用の多孔性シリカ薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-336888 出願人：旭化成株式会社

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