低誘電率層間絶縁膜の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-008476
公開番号（公開出願番号）：特開2002-256434
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の層間絶縁膜などとして有用な低誘電率の膜を形成する方法と、この方法により形成される膜を提供すること。【解決手段】基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で、シリルエーテル、シリルエーテルオリゴマー又は1以上の反応性基を有する有機ケイ素化合物を含む、有機ケイ素前駆物質を反応させて、約3.5以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

低誘電率の層間絶縁膜を形成する方法であって、基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で有機ケイ素前駆物質を、随意に1種以上の追加の反応性物質と一緒に、反応させて、約3.5以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成することを含み、当該有機ケイ素前駆物質が、下記の構造式I〜VIのうちの1つ以上で表される1種以上のシリルエーテル、又は構造式VIIで表されるシリルエーテルオリゴマーを含む、低誘電率層間絶縁膜の形成方法。【化1】(式中、xは1〜3の整数、yは1又は2、zは2〜6の整数であり、R1は、H、フッ素、枝分かれした又は直鎖のC1〜C6アルキル基、置換又は不置換のC3〜C8シクロアルキル基、置換又は不置換のC6〜C12芳香族基、部分的又は完全にフッ素化されたC1〜C6アルキル基、部分的又は完全にフッ素化されたC3〜C8シクロアルキル基、あるいは部分的又は完全にフッ素化されたC6〜C12芳香族基のうちの1種以上であり、R2は、置換又は不置換のC6〜C12芳香族基、部分的又は完全にフッ素化された直鎖又は枝分かれ鎖のC1〜C6アルキル基、部分的又は完全にフッ素化されたC3〜C8シクロアルキル基、あるいは部分的又は完全にフッ素化されたC6〜C12芳香族基のうちの1種以上であり、R3は、R2、C1〜C6の線状又は枝分かれしたアルキル基、あるいは置換又は不置換のC3〜C8シクロアルキル基のうちの1種以上であり、R4は、C1〜C6の直鎖又は枝分かれしたアルキル基、置換又は不置換のC3〜C8シクロアルキル基、置換又は不置換のC6〜C12芳香族基、部分的又は完全にフッ素化されたC1〜C6の直鎖又は枝分かれしたアルキル基、部分的又は完全にフッ素化されたC3〜C8シクロアルキル基、あるいは部分的又は完全にフッ素化されたC6〜C12芳香族基である)

IPC (3件)：

C23C 16/40 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (3件)：

C23C 16/40 , H01L 21/316 X , H01L 21/90 J

Fターム (39件)：

4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA10 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA24 , 4K030BA27 , 4K030BA35 , 4K030BA44 , 4K030BB11 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR26 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW04 , 5F033WW09 , 5F033XX24 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF02 , 5F058BH03 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

層間絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-227736 出願人：松下電器産業株式会社
基材上にフィルムを形成する方法及び装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-506599 出願人：トリコンホールディングスリミティド
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-068830 出願人：株式会社東芝

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