特許
J-GLOBAL ID：200903043369364223
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-134183
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326829
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】多層配線構造の形成工程を含む半導体装置の製造方法に関し、配線密度の高い領域における膜厚方向の配線間容量を低減し且つフッ素含有酸化シリコンを有する層間絶縁膜の上の金属膜の剥がれを防止すること。【解決手段】配線63を覆うフッ素含有シリコン酸化膜64をSiO2のような絶縁膜65で覆った後に、フッ素含有シリコン酸化膜64の一部が露出するまで絶縁膜65を研磨して平坦化した後に、露出したフッ素含有シリコン酸化膜64を覆うSiO2のような吸湿防止用の絶縁性キャップ膜66を形成して構成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に配線を形成する工程と、誘電率3.5以下のフッ素含有シリコン酸化膜により前記配線を覆う工程と、前記フッ素含有シリコン酸化膜上に、前記フッ素含有シリコン酸化膜とは異なる材料の絶縁膜を成長する工程と、前記絶縁膜の表面から研磨を開始して前記絶縁膜と前記フッ素含有シリコン酸化膜を研磨して平坦化する工程と、前記絶縁膜の面と研磨によって露出した前記フッ素含有シリコン酸化膜の上に、前記フッ素含有シリコン酸化膜とは異なり、前記フッ素含有シリコン酸化膜よりは吸湿性の低い材料よりなる絶縁性キャップ膜を成長する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
, H01L 21/3205
H01L 21/90 B
, H01L 21/316 X
, H01L 21/88 K
, H01L 21/90 M
