特許
J-GLOBAL ID：200903043393109226
CVD用液体原料の気化方法、気化装置及びそれを用いたCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-222967
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058528
出願日： 1998年08月06日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体メモリ等に用いる誘電体膜をCVD(化学気相堆積)法により製造する際に必要となるCVD液体原料の気化方法および気化装置において、気化器における未気化残渣の生成を抑制する液体原料の気化方法および気化装置を提供する。【解決手段】 二元以上の元素を含むセラミック膜用のCVD液体原料を気化する場合に、各々の元素に相当する原料の時分割送入およびマイクロ波加熱気化の組み合わせにより、未気化残渣の生成を抑制し成膜の再現性を悪化させるパーティクルの生成を抑制するとともに気化器の連続稼働時間を長くし、最終的な半導体メモリの生産性を向上させる。また、複数気化器のブロック化により気化装置の省スペース化が可能となる。
請求項（抜粋）：
二元以上の元素を含む薄膜形成用のCVD液体原料の気化方法において、供給量の制御されたそれぞれの液体原料のうち、少なくとも二つを時分割にて一つの気化器に送入し、該気化器において液体原料を気化することを特徴とするCVD用液体原料の気化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, C23C 16/40
, C23C 16/448
H01L 21/31 B
, C23C 16/40
, C23C 16/44 C
4K030BA01
, 4K030BA04
, 4K030BA18
, 4K030BA22
, 4K030EA01
, 4K030JA05
, 4K030KA41
, 5F045AB40
, 5F045BB08
, 5F045BB15
, 5F045EE02
, 5F045EE05
