特許

J-GLOBAL ID：200903043414679770

半導体装置

発明者： 塚田 能成 ,  蜂須賀 公朗 ,  鑓田 宏 ,  高野 文朋 ,  山中 保朗
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社
代理人 (2件)： 下田 容一郎 ,  田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-165477
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005391
出願日： 2003年06月10日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】半導体素子が発熱したときの反りを少なくした半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置10は、半導体素子11とヒートシンク12の間に熱応力を緩和する中間層13を設けて形成される。好ましくは、半導体素子11とヒートシンク12の間に熱応力を緩和する中間層を含む積層板14を設けて形成される。半導体素子11は、パワートランジスタやパワーFET、またIGBTなどのパワーデバイスであり、シリコン半導体などで形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体素子とヒートシンクの間に熱応力を緩和する中間層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L23/36 ,  H01L23/373

FI (2件)：

H01L23/36 D ,  H01L23/36 M

Fターム (7件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB05 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-344272   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体素子収納用パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-155495   出願人：京セラ株式会社
• 基 板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-146286   出願人：日立金属株式会社
• 特開平2-034577