特許
J-GLOBAL ID:200903083213232922
半導体素子収納用パッケージ
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-155495
公開番号(公開出願番号):特開2002-353356
出願日: 2001年05月24日
公開日(公表日): 2002年12月06日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子が発する大量の熱を十分に基体の下側主面に伝達しきれず、半導体素子が熱で誤動作や熱破壊を起こしたり、また基体を外部装置にネジ止めする際に基体のネジ止め部の周囲が潰れるといった問題があった。【解決手段】 上面に半導体素子2が載置される載置部1aを有する基体1は、Ag,Ti,Cr,ZrおよびWのうちの少なくとも一種を0.2〜10重量部、銅を90〜99.8重量部含有する金属成分1dが含浸された炭素質母材1b内に炭素繊維が分散された金属炭素複合体を基材Aとし、基材Aの上下面に基材A側から鉄またはステンレススチールから成る接着層6と銅層7とを順次積層した金属層Bが形成され、さらに基材Aの側面および金属層Bの表面に銅メッキ層8が被着されている。
請求項(抜粋):
上側主面に半導体素子が載置される載置部を有するとともに両端部にネジ止め部を有する基体と、該基体の上側主面に前記載置部を囲繞するようにして取着され、貫通孔または切欠き部から成る入出力端子の取付部を有する枠体と、前記取付部に嵌着された前記入出力端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記基体は、銀,チタン,クロム,ジルコニウムおよびタングステンのうちの少なくとも一種を0.2〜10重量部、銅を90〜99.8重量部含有する金属成分が含浸された炭素質母材内に炭素繊維が分散された金属炭素複合体を基材とし、該基材の上下面に前記基材側から鉄またはステンレススチールから成る接着層と銅層とを順次積層した金属層が形成され、さらに前記基材の側面および前記金属層の表面に銅メッキ層が被着されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
IPC (3件):
H01L 23/06
, H01L 23/12
, H01L 23/14
FI (3件):
H01L 23/06 B
, H01L 23/14 M
, H01L 23/12 J
前のページに戻る