特許
J-GLOBAL ID:200903043436355196

積層インダクタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 茂見 穰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-247733
公開番号(公開出願番号):特開2002-064016
出願日: 2000年08月17日
公開日(公表日): 2002年02月28日
要約:
【要約】【課題】 インダクタンスの公差を小さくでき、共振周波数の高周波化によるQ値の向上とインダクタンスの周波数特性の平坦化を図る。【解決手段】 電気絶縁層と導体パターンが交互に積層され、各導体パターンの端部が順次接続されることでチップ状の電気絶縁体22中で積層方向に重畳したコイル20が形成され、該コイルの両端がそれぞれ引出導体26によってチップ表面の両端に形成されている外部電極24に接続され、コイル軸方向が上下方向を向いている構造である。コイルの積層方向の中央がチップの上部方向にずれている。コイルは、例えばチップ内で上方から2/3程度の領域内に収まるようにする。またコイルの最上層は、チップの上面から0.05mm以上で0.15mm以下(より好ましくは0.1mm以下)の間に位置するのが好ましい。
請求項(抜粋):
電気絶縁層と導体パターンが交互に積層され、各導体パターンの端部が順次接続されることでチップ状の電気絶縁体中で積層方向に重畳したコイルが形成され、該コイルの両端がそれぞれ引出導体によってチップ表面の両端に形成されている外部電極に接続され、コイル軸方向が上下方向を向いている積層インダクタにおいて、コイルの積層方向の中央がチップ内で上部方向にずれていることを特徴とする積層インダクタ。
IPC (5件):
H01F 17/00 ,  H01F 41/04 ,  H05K 1/11 ,  H05K 1/16 ,  H05K 3/40
FI (5件):
H01F 17/00 D ,  H01F 41/04 C ,  H05K 1/11 C ,  H05K 1/16 B ,  H05K 3/40 D
Fターム (21件):
4E351BB09 ,  4E351BB13 ,  4E351BB24 ,  4E351BB29 ,  4E351BB31 ,  4E351CC11 ,  4E351DD41 ,  5E062DD04 ,  5E070AA01 ,  5E070AB01 ,  5E070AB04 ,  5E070AB06 ,  5E070AB07 ,  5E070CB01 ,  5E070CB13 ,  5E070EA01 ,  5E317AA04 ,  5E317AA21 ,  5E317CC11 ,  5E317CC51 ,  5E317GG17
引用特許:
審査官引用 (6件)
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