特許
J-GLOBAL ID：200903043443024855

半導体装置及びその製造方法

発明者：
西井 勝則

西井 勝則 について

, 
井上 薫

井上 薫 について

, 
松野 年伸

松野 年伸 について

, 
池田 義人

池田 義人 について

, 
正戸 宏幸

正戸 宏幸 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-388865
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329863
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 窒化物半導体からなり、ゲート電極を有する半導体装置の電流駆動能力を高めることができるようにする。【解決手段】 炭化ケイ素からなる基板11上には、バッファ層12と、窒化ガリウムからなりその上部に2次元電子ガス層が形成されるチャネル層13と、n型の窒化アルミニウムガリウムからなりチャネル層13にキャリアを供給するキャリア供給層14とが順次形成されている。素子分離膜15に囲まれた素子形成領域には、キャリア供給層14の上に成長した窒化ガリウムからなる半導体層が酸化された絶縁酸化層16Bが選択的に形成され、絶縁酸化層16B上には、ゲート電極17が形成されている。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に形成された第2の窒化物半導体層が酸化されてなる絶縁酸化層と、前記絶縁酸化層の上に形成されたゲート電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 H
Fターム (47件)：
5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F140AA01 ,  5F140AA25 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BB15 ,  5F140BB18 ,  5F140BC11 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD18 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE14 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF15 ,  5F140BF21 ,  5F140BF25 ,  5F140BG27 ,  5F140BG38 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140CB01
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM