特許

J-GLOBAL ID：200903043481316274

金属-絶縁体-金属キャパシタを含む二重ダマシン配線構造及びその製造方法

発明者： 李 敬雨 ,  李 守根
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-107239
公開番号（公開出願番号）：特開2004-312007
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】金属-絶縁体-金属キャパシタを含む二重ダマシン配線構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】ビアレベル金属間絶縁膜115上に金属-絶縁体-金属キャパシタ160’を形成するが、ビアレベル金属間絶縁膜の形成後に金属-絶縁体-金属キャパシタパターニングのためのアラインキー130を形成する間に金属-絶縁体-金属キャパシタの下部電極140aとビアレベル金属間絶縁膜の下部の配線105を連結させるためのビアホールを形成し、金属-絶縁体-金属キャパシタの上部電極105a’は、二重ダマシン工程の進行時に上部金属配線192と直接連結する。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

第1及び第2下部金属配線が形成された基板上にビアレベル金属間絶縁膜を形成する段階と、 前記ビアレベル金属間絶縁膜をパターニングして金属-絶縁体-金属キャパシタの下部電極と前記第1下部金属配線とを連結するビアホールを形成する段階と、 前記基板全面にキャパシタ下部電極用金属膜とキャパシタ誘電膜と上部電極用金属膜とを順次に形成する段階と、 前記下部電極用金属膜とキャパシタ誘電膜と上部電極用金属膜とをパターニングして、前記ビアホールの上側に下部電極と誘電膜と上部電極とよりなる金属-絶縁体-金属キャパシタを形成する段階と、 前記金属-絶縁体-金属キャパシタを含むビアレベル金属間絶縁膜上にトレンチレベル金属間絶縁膜を形成する段階と、 前記ビアレベル金属間絶縁膜とトレンチレベル金属間絶縁膜とをエッチングして前記第2下部金属配線を露出させる二重ダマシン配線用溝を形成すると同時に前記上部電極を露出させるトレンチを形成する段階と、 前記二重ダマシン配線用溝とトレンチとに金属を埋め込んで前記第2下部金属配線に連結された二重ダマシン配線と前記上部電極に連結された上部金属配線とを形成する段階と、を含むことを特徴とする金属-絶縁体-金属キャパシタを含む二重ダマシン配線構造の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (2件)：

H01L21/90 A ,  H01L27/04 C

Fターム (70件)：

5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK30 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS15 ,  5F033VV01 ,  5F033VV10 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28 ,  5F033XX33 ,  5F038AC05 ,  5F038CD09 ,  5F038CD10 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許USP第6069051号公報
  

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-348267   出願人：三菱電機株式会社
• 集積デバイス用デュアルダマシン接触
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-262581   出願人：アギアシステムズガーディアンコーポレーション
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-269827   出願人：三菱電機株式会社