特許
J-GLOBAL ID：200903043509655029
プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-038322
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247676
出願日： 2003年02月17日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】マイクロ波プラズマを用いたプラズマ処理において、導入窓またはマイクロ波立体回路を破損させることなく、かつ、安定した高密度プラズマで長時間の処理を行なうことができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置は、発振されたマイクロ波を真空チャンバ1に導くためのマイクロ波立体回路と、マイクロ波立体回路の端部に接続され、真空チャンバ1の内部との境界を形成するためのマイクロ波導入部25とを備える。マイクロ波導入部25は、真空チャンバ1内部にマイクロ波を導入するための石英製の導入窓2と、導入窓2よりマイクロ波の上流側に配置され、不透光性の誘電体で形成された遮蔽板3とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発振されたマイクロ波を真空チャンバに導くためのマイクロ波立体回路と、
前記マイクロ波立体回路の端部に接続され、前記真空チャンバの内部との境界を形成するためのマイクロ波導入部と
を備え、前記マイクロ波導入部は、
前記真空チャンバ内部に前記マイクロ波を導入するための石英製の導入窓と、
前記導入窓より前記マイクロ波の上流側に配置され、不透光性の誘電体で形成された遮蔽板と
を含む、プラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L21/3065
, H01L21/31
, H05H1/46
H01L21/302 101D
, H01L21/31 C
, H05H1/46 C
5F004AA16
, 5F004BA16
, 5F004BB14
, 5F004BB29
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004DA18
, 5F004DB00
, 5F004EA05
, 5F045AA10
, 5F045BB08
, 5F045BB20
, 5F045EH03
, 5F045EH17
