半導体記憶装置及びそのテスト方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-363824
公開番号（公開出願番号）：特開2001-175538
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】単体でも自己の記憶するデータ保護が可能な電気的に書き換え可能な不揮発性の半導体記憶装置及びそのテスト方法を提供すること。【解決手段】電気的に書き換え可能な不揮発性メモリを含む半導体記憶装置である。不揮発性のパスワード記憶領域112と不正アクセスから前記不揮発性メモリのデータを保護するためのデータ保護回路200を含む。パッケージ端子としては出力されないI/Oパッド240と、当該I/Oパッド240に第一のレベルの電圧が与えられた場合にはパスワードデータと一致の有無にかかわらずアクセス許可信号を出力する回路を含む。またパスワードの不一致回数をカウントし、連続不一致回数が設定された許容回数を超える場合に前記不揮発メモリのデータを消去する回路とを含む。またウエハー段階のテスト時には前記I/Oパッド240に前記第一のレベルの電圧を与えて動作テストを行う。

請求項（抜粋）：

電気的に書き換え、消去が可能な不揮発性メモリを含む半導体記憶装置であって、電気的に書き換え可能な不揮発性のパスワード記憶領域と、前記半導体記憶装置に対する動作要求信号に対応したパスワードデータと前記パスワード記憶領域に記憶されたパスワードデータとが一致しない場合には、前記動作要求信号の要求する動作の実現を防止するためのデータ保護回路と、を含むことを特徴とする半導体記憶装置。

Fターム (5件)：

5B017AA03 , 5B017BA05 , 5B017BA08 , 5B017BB11 , 5B017CA11

引用特許：

出願人引用 (10件)

半導体記憶装置、及びデータ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-246956 出願人：株式会社日立製作所
電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-032289 出願人：シャープ株式会社
フラッシュメモリを用いた情報処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-308470 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (10件)

半導体記憶装置、及びデータ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-246956 出願人：株式会社日立製作所
ICメモリカード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-276497 出願人：株式会社東芝
通信装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-011899 出願人：三菱電機株式会社, 三菱電機セミコンダクタソフトウエア株式会社

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