磁気抵抗素子及び磁気メモリ

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-250283
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081314
出願日： 2007年09月26日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつメモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を確保する。【解決手段】磁気抵抗素子10は、NaCl構造を有し、かつ(001)面に配向する窒化物から構成される下地層23と、下地層23上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつL10構造を有し、かつ(001)面に配向する強磁性合金から構成される第1の磁性層14と、第1の磁性層14上に設けられた第1の非磁性層16と、第1の非磁性層16上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第2の磁性層17とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

NaCl構造を有し、かつ(001)面に配向する窒化物から構成される第1の下地層と、前記第1の下地層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつL10構造を有し、かつ(001)面に配向する強磁性合金から構成される第1の磁性層と、前記第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、前記第1の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第2の磁性層と、を具備することを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (10件)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01F 10/28 , H01F 10/13 , H01F 10/30 , H01F 10/16 , H01F 10/14 , H01L 29/82

FI (10件)：

H01L43/08 Z , H01L43/10 , H01L43/08 M , H01L27/10 447 , H01F10/28 , H01F10/13 , H01F10/30 , H01F10/16 , H01F10/14 , H01L29/82 Z

Fターム (58件)：

4M119AA06 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF06 , 4M119FF15 , 4M119JJ09 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC01 , 5E049BA08 , 5E049CB01 , 5E049DB02 , 5E049DB12 , 5F092AA08 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BC32 , 5F092BC33 , 5F092BC46 , 5F092BE04 , 5F092BE06 , 5F092BE11 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092CA23 , 5F092CA26

引用特許：

審査官引用 (7件)

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-172845 出願人：株式会社東芝
磁気記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-375476 出願人：株式会社東芝
垂直磁気記録媒体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-064178 出願人：富士通株式会社

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