特許
J-GLOBAL ID：200903009005164632
平坦化トンネル磁気抵抗素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-121121
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318465
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 アモルファスや多結晶体などの下地の構造や凹凸にとらわれることなく高配向で平坦な界面を持つ平坦化トンネル磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 平坦化トンネル磁気抵抗素子であって、MgOアモルファス層2とMgO(001)高配向層3の二重層からなる下地層を有する。
請求項（抜粋）：
MgOアモルファス層とMgO(001)高配向層の二重層からなる下地層を有することを特徴とする平坦化トンネル磁気抵抗素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
