特許
J-GLOBAL ID：200903043592388789
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-073708
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281875
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】段差の上へのエピタキシャル成長について、最もデバイス特性が向上する溝構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】(0001)又は(000-1)面より傾斜した面を最表面とする六方晶系炭化珪素層と、前記炭化珪素層を選択的にエッチングして形成された長方形の溝を長手方向がオフ方向に対して平行となるように配置した溝領域と、前記溝領域を含む前記炭化珪素層の上に堆積された炭化珪素エピタキシャル層と、を具備することを特徴とする炭化珪素半導体装置。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
(0001)又は(000-1)面から傾いた面を最表面とする六方晶系炭化珪素層と、
前記炭化珪素層を選択的にエッチングして形成された長方形の溝を長手方向がオフ方向に対して平行となるように配置した溝領域と、
前記溝領域を含む前記炭化珪素層の上に堆積された炭化珪素エピタキシャル層と、を具備することを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652S
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658G
