特許

J-GLOBAL ID：200903043608336156

絶縁ゲート型半導体装置およびそれを用いた加速度センサ

発明者： 松崎 一夫 ,  林 善智
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-106912
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303414
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】絶縁ゲート型半導体装置の高速化、低スイッチング損失化を図る。【解決手段】ゲート酸化膜5の上方に260nmの空間6をおいてゲート電極9が設けられた絶縁ゲート形トランジスタとし、缶タイプのケースに封入し、0.1Pa以下の高真空に減圧して封止する。シリコン酸化膜と、比誘電率がシリコン酸化膜より小さい低誘電率領域とが直列に接続されたゲート絶縁膜を有するゲート絶縁形半導体装置とすることによって、ゲート絶縁膜に起因する容量を低減し、かつシリコン基板と良好な界面特性を得る。

請求項（抜粋）：

電流制御のための絶縁ゲートを有する絶縁ゲート型半導体装置において、シリコン酸化膜と、比誘電率がシリコン酸化膜より小さい低誘電率領域とが直列に接続されたゲート絶縁膜を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  G01P 15/08 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

H01L 29/78 301 J ,  G01P 15/08 Z ,  H01L 29/84 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-118646   出願人：日本電装株式会社
• 力学量センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-000004   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-319686   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭62-222675