特許
J-GLOBAL ID：200903002724034150
化合物半導体基板、その製造方法および化合物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019981
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219904
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 エピタキシャル層成長用のバッファ層を有する、化合物半導体の基板およびその製造方法ならびにこの基板を用いて形成した化合物半導体発光素子に関し、半導体素子作成工程において発生する困難を低減することのできる化合物半導体基板ないし化合物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 下地単結晶基板と、前記下地単結晶基板上に形成され、厚さのバラツキを有する化合物半導体の第1のバッファ層と、前記第1のバッファ層の上に形成され、第1のバッファ層とは組成の異なる化合物半導体の第2のバッファ層とを有し、前記第1のバッファ層が前記第2のバッファ層よりも歪みを吸収し易い性質を有する材料で形成される。
請求項（抜粋）：
下地単結晶基板と、前記下地単結晶基板上に形成され、厚さのバラツキを有する化合物半導体の第1のバッファ層と、前記第1のバッファ層の上に形成され、第1のバッファ層とは組成の異なる化合物半導体の第2のバッファ層とを有し、前記第1のバッファ層が前記第2のバッファ層よりも歪みを吸収し易い性質を有する材料で形成された化合物半導体基板。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/20
, H01L 33/00 C
, H01L 33/00 D
