特許
J-GLOBAL ID：200903074246884233
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-144502
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340571
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【目的】 GaN基板の裏面側に設けられたn電極と支持体との接着性、及びn電極のオーミック性を維持できる信頼性に優れた窒化物半導体素子を実現する。【構成】 n型窒化物半導体基板の表面に素子構造が形成され、裏面にn電極が形成されており、n電極は、裏面側からn層と良好なオーミック接触が得られる金属を含む第1の層と、Alよりも高融点金属を含む第2の層と、Sn若しくはInを含む第3の層とを有する少なくとも3層構造を具備することにより、n電極はSn、Inが第1の層に欠く散ぜず、良好なオーミック性を保ったままで、強固な付着力を有する電極となる。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体からなる窒化物半導体基板の第1の主面側に、n型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層を有する素子構造が形成され、その窒化物半導体基板の第2の主面側にn電極が形成され、そのn電極と支持体とが対向して、素子が支持体にダイボンディングされてなる窒化物半導体素子であって、前記n電極は、第2の主面に接近した側から、n型窒化物半導体と良好なオーミック接触が得られる金属を含む第1の層と、Alよりも高融点金属を含む第2の層と、Sn若しくはInを含む第3の層とを有する少なくとも3層構造を具備することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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