半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059217
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256598
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 AlGaInP系化合物半導体により発光層が形成され、ウインドウ層としてGaPが用いられる半導体発光素子において、ウインドウ層の膜質を低下させないで、発光効率が高く電気特性の優れた発光素子を提供する。【解決手段】基板1と、該基板上にAlGaInP系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部11と、該発光層形成部の表面側に設けられるGaPからなるウインドウ層7とを備える半導体発光素子であって、前記発光層形成部と前記ウインドウ層との間に該発光層形成部とウインドウ層との格子歪を緩和するバッファ層6が介在されている。そのバッファ層6は、たとえばGaP層6aとAlGaInP系化合物半導体層6bとの交互の積層構造からなっている。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上にAlGaInP系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部と、該発光層形成部の表面側に設けられるGaPからなるウインドウ層とを備える半導体発光素子であって、前記発光層形成部と前記ウインドウ層との間に該発光層形成部とウインドウ層との格子歪を緩和するバッファ層が介在されてなる半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-211229 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-199752
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-016258 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る