特許
J-GLOBAL ID：200903043691180081
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-263408
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219501
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 容量素子の容量絶縁膜を構成する酸化タンタル膜上に上部電極材料であるTiN膜をCVD法で堆積する際の容量絶縁膜の耐圧劣化を防止する。【解決手段】 容量素子の容量絶縁膜を構成する酸化タンタル膜の上部に、チタン含有ソースガスと窒素含有還元性ガスとを用いたCVD法でTiN膜を堆積する際、あらかじめ酸化タンタル膜の表面に保護膜を形成しておくことにより、酸化タンタル膜が窒素含有還元性ガスと接触しないようにする。
請求項（抜粋）：
下部電極と、前記下部電極上に形成された高誘電体膜を含む単一または複数の膜からなる容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に形成されたチタンナイトライド膜を含む単一または複数の膜からなる上部電極とで構成された容量素子を有する半導体集積回路装置であって、前記容量素子の上部電極は、還元性ガスを含まない条件下で低温CVD法により形成された保護膜を介在して前記高誘電体膜上に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (5件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/316
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 C
, H01L 21/316 X
, H01L 27/04 C
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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