特許
J-GLOBAL ID：200903043721600382

窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
石橋 明彦

石橋 明彦 について

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木戸口 勲

木戸口 勲 について

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服藤 憲司

服藤 憲司 について

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伴 雄三郎

伴 雄三郎 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-217880
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115608
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】 基板上に窒化物半導体層を積層する際に活性層の品質の劣化及び原料の気相中間反応を抑制し、半導体発光素子のデバイス特性を向上させる。【解決手段】 基板上に窒化物半導体層を積層する際に、GaInN活性層成長時に圧力を大気圧以上の加圧に切り替え、更にp-AlGaN、p-GaN成長時に圧力を大気圧以下の減圧に切り替えることにより、空孔等の欠陥による活性層の品質劣化を抑制し、かつTMA、Cp2Mg、NH3の気相中間反応を抑制して原料の供給効率を上げることができ、窒化物半導体デバイスの結晶品質を大きく向上させることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物半導体層を積層して窒化物半導体素子を作製する方法であって、該窒化物半導体層を積層する工程のいずれかの間に第一の成長雰囲気圧力から第二の成長雰囲気圧力へ変更する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610
Fターム (45件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AE30 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA52 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB03 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (6件)
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