特許
J-GLOBAL ID：200903043745417473
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247557
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093077
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 ゲート酸化膜の膜厚増加に起因してMOSFETにおけるゲート容量が減少し、MOSFET特性が低下するのを防止した半導体装置とその製造方法、および不純物の相互拡散を防止してゲート電極の仕事関数が変化することによりVthが変動したり、コンタクト抵抗やシート抵抗が増大するといった不都合が生じるのを防止した半導体装置とその製造方法の提供が望まれている。【解決手段】 N+ 型ポリシリコンを用いたタングステンポリサイド構造のゲート電極20を備えた半導体装置である。N+ 型ポリシリコン層が2層構造に形成されており、これら2層のうちの少なくとも1層が大粒径ポリシリコンで形成されている。大粒径ポリシリコンの形成は、CVD法により堆積温度550°C以下でアモルファスシリコン16を堆積し、このアモルファスシリコン16を800°C以下の温度で1時間以上アニールすることによって行う。
請求項（抜粋）：
N+ 型ポリシリコンを用いたタングステンポリサイド構造のゲート電極を備えた半導体装置において、N+ 型ポリシリコン層が2層構造に形成されてなり、これら2層のうちの少なくとも1層が大粒径ポリシリコンで形成されてなることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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