半導体装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、電子機器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：西和哉 , 志賀正武 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-090992
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277250
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】有機材料を半導体層に用いた半導体装置であって、当該半導体装置が適用される用途に拘らず、特にフレキシビリティが要求されるような用途においても好適に用いることができ、配線において断線等の不具合の生じ難い半導体装置を安価に提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、有機材料にて構成される有機半導体層4を備える半導体装置であって、前記有機半導体層4に電気的に接続する配線6が、金属材料からなる金属導電部62と有機材料からなる有機導電部61との複合構造にて構成されていることを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

有機材料にて構成される有機半導体層を備える半導体装置であって、前記有機半導体層に電気的に接続する配線が、金属材料からなる金属導電部と有機材料からなる有機導電部との複合構造にて構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L21/3205 , G02F1/167 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L51/00

FI (9件)：

H01L21/88 M , G02F1/167 , H01L21/28 301Z , H01L21/288 Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 617L , H01L29/28 , H01L21/88 B

Fターム (67件)：

4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB17 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104EE03 , 4M104EE18 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F033GG04 , 5F033HH00 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033MM05 , 5F033PP21 , 5F033PP22 , 5F033PP26 , 5F033QQ59 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033SS21 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX00 , 5F033XX10 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110NN71

引用特許：

審査官引用 (3件)

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法、および薄膜トランジスタアレイ、および表示装置、およびセンサー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-357692 出願人：松下電器産業株式会社
薄膜トランジスタ素子、当該素子シート及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-046026 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
導体配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-137204 出願人：日本電気株式会社

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