特許
J-GLOBAL ID:200903043790695077
半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
前田 実
, 山形 洋一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-371769
公開番号(公開出願番号):特開2004-207325
出願日: 2002年12月24日
公開日(公表日): 2004年07月22日
要約:
【課題】小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、基板101と、m個のメタル層103と、メタル層103のそれぞれの表面に貼り付けられたLEDエピタキシャルフィルム104とを有する。基板101には、独立に電位を制御することができるm本の共通配線131と、独立に電位を制御することができるn本の信号配線132とが備えられ、m本の共通配線131とm個のメタル層103とが、一対一で接続されている。また、各メタル層103上のLEDエピタキシャルフィルム104に備えられたLED105の内のk番目(k=1,2,...,n)のLEDが、n本の信号配線132の内のk番目の信号配線と接続される。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板上に形成され、独立に電位を制御することができるm個(mは2以上の整数)の導通層と、
半導体素子を有し、m個の前記導通層のそれぞれの表面に貼り付けられた半導体薄膜と
を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L33/00
, B41J2/44
, B41J2/45
, B41J2/455
, H01L27/00
FI (3件):
H01L33/00 N
, H01L27/00 301C
, B41J3/21 L
Fターム (27件):
2C162AE19
, 2C162AE28
, 2C162AE47
, 2C162AG01
, 2C162AH23
, 2C162AH27
, 2C162AH39
, 2C162AH46
, 2C162AH62
, 2C162FA17
, 2C162FA23
, 5F041AA42
, 5F041AA47
, 5F041CA14
, 5F041CA36
, 5F041CB04
, 5F041CB11
, 5F041DA13
, 5F041DA19
, 5F041DA33
, 5F041DA82
, 5F041DB07
, 5F041DC08
, 5F041DC12
, 5F041DC24
, 5F041DC83
, 5F041FF13
引用特許:
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