単一グリッド材レイヤを有する不揮発性の書き込み可能かつ電気的消去可能なメモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田次生 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-057906
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273257
出願日： 2003年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】STI型の分離領域とグリッド材の界面間におけるグリッド誘電体の薄さに起因するデータ保持問題を克服したメモリ素子を提供する。【解決手段】不揮発性の書き込み可能かつ電気的に消去可能な、単一グリッド材レイヤを有するメモリ・セルを備えた半導体メモリ素子を提供する。該メモリ素子は、基板の1つの領域に形成されかつ分離領域によって境界を画定された能動的半導体領域の内部にフローティング・グリッド・トランジスタおよびコントロールグリッドを備える。フローティング・グリッドをその内部に形成するグリッド材レイヤは、分離領域と重なる部分を有することなく、能動領域の上に一体として延伸する。フローティング・グリッド・トランジスタは、逆方向に分極されるPN接合によってコントロールグリッドから電気的に絶縁される。

請求項（抜粋）：

不揮発性の書き込み可能かつ電気的に消去可能な、単一のグリッド材レイヤを有するメモリ・セルと、基板領域に形成されかつ分離領域によって境界を画定されたアクティブ半導体領域の内側に配置されたフローティング・グリッド・トランジスタおよびコントロールグリッドと、を備える半導体メモリ素子であって、前記フローティング・グリッド・トランジスタを形成する前記グリッド材レイヤ(FG,PL,P2)は、前記分離領域(STI)と重なる部分を有することなく、アクティブ領域(ZA)の上に一体的に延び、前記フローティング・グリッド・トランジスタは、逆方向に分極されるPN接合によって前記コントロールグリッド(CG)から電気的に絶縁される、半導体メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (11件)：

5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083ER02 , 5F083ER22 , 5F083NA01 , 5F101BA01 , 5F101BB06 , 5F101BC11 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (5件)

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-290958 出願人：日本鋼管株式会社
特開平1-307274
特開昭60-258968

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