特許
J-GLOBAL ID：200903043850018037
半導体装置及びその試験装置、並びに試験方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101343
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294605
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 ウエハ上の半導体装置に対する測定を行う場合に、電極パッドに対する適正な接触位置にプローブを確実に案内して測定結果の精度を高めることができる半導体装置及びその試験装置、並びに試験方法を提供する。【解決手段】 本発明の試験装置は、ウエハ20上に形成された半導体装置13の複数の電極パッド45に接触する複数のプローブ28を有している。この試験装置では、各プローブ28の先端が、電極パッド45に対する正規の接触位置に案内される被ガイド面(28a、28b、28c)を形成している。
請求項（抜粋）：
ウエハ上に形成された半導体装置の複数の電極パッドに接触する複数のプローブを備えた試験装置において、各プローブの先端が、前記電極パッドに対する正規の接触位置に案内される被ガイド面を形成することを特徴とする試験装置。
Fターム (9件)：
4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106AD09
, 4M106AD10
, 4M106BA01
, 4M106BA14
, 4M106DD03
, 4M106DD10
, 4M106DD13
