特許
J-GLOBAL ID：200903043858081285
窒化物半導体発光素子
出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社
日亜化学工業株式会社 について
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-059217
公開番号（公開出願番号）：特開2002-335010
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 青色より波長の短い光を発光する発光素子チップを用いて構成することができる発光ダイオードを提供する。【解決手段】 透光性基板の一方の主面上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と発光層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層とが形成されてなる窒化物半導体発光素子において、発光層が発光する光の一部を吸収してその吸収した光の波長より長い波長の光を発光することができる蛍光体を含むSiO2 層が透光性基板の他方の主面上に形成され、SiO2 層を介して光を出力させることにより、蛍光体が発光する光のみにより発光色を得ることができると共に寿命の長い発光ダイオードが得られる。
請求項（抜粋）：
透光性基板の一方の主面上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と発光層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層とが形成されてなる窒化物半導体発光素子において、上記発光層が発光する光の一部を吸収してその吸収した光の波長より長い波長の光を発光することができる蛍光体を含むSiO2 層が上記透光性基板の他方の主面上に形成され、該SiO2 層を介して光を出力することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
Fターム (16件)：
5F041AA11
, 5F041AA44
, 5F041CA03
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA49
, 5F041CA50
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041CB31
, 5F041EE25
引用特許：
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