特許

J-GLOBAL ID：200903043874330813

成膜方法および成膜装置、導体膜、半導体装置の製造方法

発明者： 霜垣 幸浩 ,  河野 有美子
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-030059
公開番号（公開出願番号）：特開2003-226972
出願日： 2002年02月06日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 耐酸化性に優れたTiSiN系の導電膜を、CVD法により形成する。【解決手段】 Tiの気相原料と、Siの気相原料と、Nの気相原料とを供給することにより、TiとSiとNとを含む導電膜を被処理基板表面に形成する際に、前記被処理基板表面に前記Tiの気相原料と、前記Siの気相原料と、前記Nの気相原料とを同時に供給し、前記導電膜を成長させ、次いで前記被処理基板表面に前記Tiの気相原料と、前記Siの気相原料と、前記Nの気相原料とを、前記Tiの気相原料の流量が低減された状態で供給し、前記導電膜をさらに成長させ、前記二つの工程を繰り返す。

請求項（抜粋）：

Tiの気相原料と、Siの気相原料と、Nの気相原料とを供給することにより、TiとSiとNとを含む導電膜を被処理基板表面に形成する成膜方法において、前記被処理基板表面に前記Tiの気相原料と、前記Siの気相原料と、前記Nの気相原料とを同時に供給し、前記導電膜を成長させる第1の工程と、前記被処理基板表面に前記Tiの気相原料と、前記Siの気相原料と、前記Nの気相原料とを、前記Tiの気相原料の流量が低減した状態で供給し、前記導電膜をさらに成長させる第2の工程とよりなり、前記第1の工程と前記第2の工程とは交互に実行されることを特徴とする成膜方法。

IPC (6件)：

C23C 16/42 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108

FI (6件)：

C23C 16/42 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 T ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 444 B

Fターム (37件)：

4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030HA01 ,  4K030JA05 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104GG16 ,  4M104HH05 ,  4M104HH20 ,  5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA05 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• TiSiN薄膜およびその成膜方法、半導体装置およびその製造方法、ならびにTiSiN薄膜の成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-326611   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 欠陥密度の低いTi-Si-N及びTi-B-Nベースの絶縁保護性障壁膜の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-301179   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 金属窒化物膜の形成方法およびこれを用いた電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-370699   出願人：ソニー株式会社