特許
J-GLOBAL ID:200903091404965981

TiSiN薄膜およびその成膜方法、半導体装置およびその製造方法、ならびにTiSiN薄膜の成膜装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-326611
公開番号(公開出願番号):特開2001-144032
出願日: 1999年11月17日
公開日(公表日): 2001年05月25日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 高ステップカバレージで成膜することが可能なTiSiN薄膜およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 Ti含有ガス、Si含有ガス、およびN含有ガスを含む成膜ガスを用いて熱CVDによりTiSiN薄膜を成膜し、前記Ti含有ガスとして、TiCl4、テトラキシジメチルアミノチタニウム、テトラキシジエチルアミノチタニウムの少なくとも1種を、前記Si含有ガスとして、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、Si2H4、Si2H6の少なくとも1種を、前記N含有ガスとして、NH3およびモノメチルヒドラジンの少なくとも1種を用いる。
請求項(抜粋):
熱CVDにより形成されたことを特徴とするTiSiN薄膜。
IPC (9件):
H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78
FI (9件):
H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 T ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (89件):
4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA22 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA12 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104EE03 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH05 ,  4M104HH13 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH27 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX10 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F040DA01 ,  5F040DB09 ,  5F040DC01 ,  5F040EA08 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC09 ,  5F040EC12 ,  5F040EC19 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04 ,  5F083AD21 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA19 ,  5F083JA32 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21
引用特許:
審査官引用 (15件)
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