特許
J-GLOBAL ID：200903043898117444

発光素子用半導体基板及び発光素子

発明者：
木戸 滋

木戸 滋 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-154188
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302238
出願日： 2008年06月12日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】安価なシリコン基板を用い、貫通転位密度の低減による内部量子効率の向上と、活性層の発光の有効活用による外部量子効率の向上と、を両立できるようにすることを目的とする。【解決手段】表面に凹凸が設けられ、SiCが積層された発光素子用半導体基板において、半導体は単結晶シリコンであり、凸部は中空7となっており、凸部の表面にSiC層11が形成されることを特徴とする。中空7と半導体基板の界面に酸化物の層があることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に凹凸が設けられ、SiC層が積層された発光素子用半導体基板において、 前記半導体基板は単結晶シリコンであり、 前記半導体基板の凸部と該凸部下のうちの少なくとも一方に中空を有し、 前記凸部上に前記SiC層が形成されることを特徴とする発光素子用半導体基板。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (10件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (4件)
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