特許
J-GLOBAL ID：200903033109980820
半導体基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-102592
公開番号（公開出願番号）：特開2004-307253
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】良質で大口径化の可能なシリコンカーバイド基板を製造する。【解決手段】母材基板としてのシリコン基板1の表面に多孔質層2を形成し、炭素を含むガスのプラズマ雰囲気中でシリコン基板1に電圧を印加して多孔質層2の表面にシリコンカーバイドの種結晶3を形成し、その種結晶3を起点にシリコンカーバイドの結晶層をエピタキシャル成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
母材基板の表面に多孔質層を形成する第1の工程と、
上記母材基板と格子定数および熱膨張係数の異なる半導体に含まれる元素を1つ以上含むプラズマ雰囲気中で前記母材基板に電圧を印加して前記多孔質層の表面に前記半導体の種結晶を形成する第2の工程と、
前記種結晶を起点に前記半導体の結晶層をエピタキシャル成長させる第3の工程と、
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B29/38
, C30B25/18
, H01L21/205
, H01L21/3063
C30B29/38 D
, C30B25/18
, H01L21/205
, H01L21/306 L
4G077AA03
, 4G077BA03
, 4G077BE08
, 4G077BE15
, 4G077DB01
, 4G077ED06
, 4G077EF01
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
, 4G077TC16
, 4G077TK08
, 4G077TK11
, 5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043DD10
, 5F043DD14
, 5F043FF10
, 5F043GG10
, 5F045AA03
, 5F045AA08
, 5F045AB06
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AC01
, 5F045AD18
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF12
, 5F045AF13
, 5F045AF14
, 5F045BB12
