特許
J-GLOBAL ID：200903095787862264
発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-144160
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324331
出願日： 2005年05月17日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】 光の取り出し効率の向上および発光ダイオードを構成する窒化物系III-V族化合物半導体層全体の結晶性の大幅な向上により発光効率が極めて高く、特性のばらつきも極めて少ない発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 凹凸加工を施したサファイア基板11上にGaN層12を成長させた後にエッチバックを行うことにより凹部11aの底部にのみGaN層12を残す。このGaN層12を種結晶として凹部11aに、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経てGaN層13を成長させることによりこの凹部11aを埋めた後、このGaN層13から横方向成長を行う。このGaN層13上に、活性層を含むGaN系半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。このGaN系発光ダイオードを用いて発光ダイオードバックライトなどを製造する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一主面に一つまたは複数の凹部を有する基板上に当該凹部を埋めるように第1の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる工程と、
上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層を加工することにより上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層を上記凹部の底部にのみ残す工程と、
上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層が底部に残された上記凹部に、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経て第2の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより上記凹部を埋める工程と、
上記第2の窒化物系III-V族化合物半導体層から上記基板上に第3の窒化物系III-V族化合物半導体層を横方向成長させる工程と、
上記第3の窒化物系III-V族化合物半導体層上に第1の導電型の第4の窒化物系III-V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第5の窒化物系III-V族化合物半導体層を順次成長させる工程と
を有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CB22
, 5F041FF01
, 5F041FF11
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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