特許
J-GLOBAL ID：200903043901244088

半導体洗浄方法

発明者：
原田 佳尚

原田 佳尚 について

, 
丹羽 正昭

丹羽 正昭 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074749
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269177
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板洗浄に使用されるSC-1洗浄において、基板表面の鉄濃度を低減しかつ炭素汚染を低減して信頼性を向上させる。【解決手段】 半導体基板の表面をアルカリ、過酸化水素および水を構成成分とする半導体表面処理剤で洗浄する工程と、洗浄後に半導体基板の表面を超純水でリンスする工程とを含み、半導体表面処理剤とリンス用超純水の少なくとも一方に、分子中にホスホン酸基またはその塩を一つ以上含有する錯化剤を、2.1E-5〜4.2E-5重量%の範囲で添加した洗浄薬液を使用する。これにより、錯化剤による鉄除去効果により信頼性向上が期待でき、さらに炭素汚染による信頼性低下も少なくてすむ。このため、累積不良率が少なく特に信頼性向上を実現することができる。また、他の薬液や錯化剤において、その飽和温度の0.9倍から1.8倍の範囲内での錯化剤濃度を設けることで信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面をアルカリ、過酸化水素および水を構成成分とする半導体表面処理剤で洗浄する工程と、洗浄後に前記半導体基板の表面を超純水でリンスする工程とを含み、前記半導体表面処理剤とリンス用超純水の少なくとも一方に、分子中にホスホン酸基またはその塩を一つ以上含有する錯化剤を、2.1E-5〜4.2E-5重量%の範囲で添加した洗浄薬液を使用することを特徴とする半導体洗浄方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 641 ,  B08B 3/08
FI (3件)：
H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 641 ,  B08B 3/08 Z
Fターム (10件)：
3B201AA03 ,  3B201BB02 ,  3B201BB82 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB98 ,  3B201CB15 ,  3B201CC01 ,  3B201CC13 ,  3B201CC21
引用特許：
審査官引用 (3件)

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