特許
J-GLOBAL ID：200903043913305929

プラズマ処理装置および処理方法

発明者：
手束 勉

手束 勉 について

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池永 和幸

池永 和幸 について

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小野 哲郎

小野 哲郎 について

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吉開 元彦

吉開 元彦 について

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板橋 直志

板橋 直志 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-425594
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183833
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 プラズマを不安定にすることなく反応容器からの不純物混入を低減することができるプラズマ処理装置および処理方法を提供する。【解決手段】 反応室1内壁101側壁の90%以上の面積を誘電体102で被覆し、前記内壁101側壁の10%以下の面積を有しプラズマから直流電流が流れる構造である接地された導電材21aを備えたプラズマ処理装置において、壁削れが比較的大きいウエハ保持電極14に近い位置のプラズマ9の浮遊電位(またはプラズマ密度)よりもプラズマ浮遊電位(またはプラズマ密度)が高い位置に導電材21からなるDCアースを設置する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
高周波を印加して反応室内にプラズマを生成させ、試料を印加した試料台に第2の高周波を印加し試料へのイオンエネルギーを制御して試料をプラズマ処理する処理装置において、 前記反応室内壁で前記プラズマが直視する表面部を誘電体で被覆し、該誘電体被覆部の一部に導電部を設け、該導電部にDCアースを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (1件)：
H01L21/3065
FI (1件)：
H01L21/302 101B
Fターム (11件)：
5F004AA13 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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