半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-294419
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125927
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【目的】 MOSFETに匹敵する性能を有した半導体装置を提供する。【構成】結晶化を助長する金属元素を利用して結晶化した結晶性珪素膜105で島状半導体層を形成し、さらにハロゲン元素を含む雰囲気中における加熱処理を行って前記金属元素のゲッタリング除去を行なう。この処理を経た島状半導体層110は針状または柱状結晶が複数集合した結晶構造体で構成される。この結晶構造体を活性層とした半導体装置は極めて高い性能を有する。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置を作製するにあたって、絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、前記非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に保持させる工程と、第1の加熱処理により前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成させる工程と、前記マスク絶縁膜を除去する工程と、後の活性層として、パターニングにより前記結晶性珪素膜のみで構成される島状半導体層を形成する工程と、ハロゲン元素を含む雰囲気中において第2の加熱処理を行うことにより前記島状半導体層中の前記金属元素をゲッタリング除去すると共に、熱酸化膜でなるゲイト絶縁膜を形成する工程と、を少なくとも有し、前記活性層は前記基体と概略平行な針状または柱状結晶が複数集合して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 617 A , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 F , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-162703 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-235461 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-203322

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