特許

J-GLOBAL ID：200903044037993150

窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法

発明者： 國里 竜也 ,  大保 広樹 ,  林 伸彦 ,  狩野 隆司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-171997
公開番号（公開出願番号）：特開2006-270125
出願日： 2006年06月21日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】基板の上面に、少ない成長工程の回数で、転位が少なく、かつ、離脱に起因する結晶欠陥の少ない結晶性の良好な窒化物系半導体層を形成することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。【解決手段】サファイア基板1の上面上に、サファイア基板1の上面の一部が露出するように、SiNからなるマスク層2を形成する工程と、露出されたサファイア基板1の上面上およびマスク層2の上面上に、AlGaNバッファ層3を形成する工程と、その後、GaN層4を成長させる工程とを備えている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板の上面上に、前記基板の上面の一部が露出するように、直接マスク層を形成する工程と、 前記マスク層から露出された前記基板の上面上および前記マスク層の上面上に、直接バッファ層を形成する工程と、 その後、窒化物系半導体層を成長させる工程とを備えた、窒化物系半導体の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01S5/343 610 ,  H01L33/00 C

Fターム (29件)：

5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AR96

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-256088   出願人：株式会社東芝
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (1件)

• ナイトライド系III-V族化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-094994   出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• AlGaN中間層を用いて作製したSi上選択成長GaNのTEM観察